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現在的位置:首頁 >> 新聞中心 >> 改善光二氯丙烷催化劑的吸光范圍
與其他納米材料復合近年來,Bi203通過與其他半導體材料復合制備異質結構被認為是提升其光二氯丙烷 催化性能的有效策略。異質結結構能夠顯著改善光二氯丙烷催化劑的吸光范圍,降低電荷空穴復合率,增強其光二氯丙烷催化性能。Bi203與其他半導體材料復合制備異質結構分為Bi203/金屬氧化物異質結、Bi203/硫化物異質結和Bi203/非金屬材料異質結,其光二氯丙烷催化機理如圖4所示Bi203/硫化物光二氯丙烷催化材料由Bi203與諸如CdS,MoS , ZnS等硫化物半導體復合而成。由于其獨特的光電化學性能和優異的光二氯丙烷催化效率,這種異質結構引起了廣泛關注。通過共沉淀法成功制備了三元納米復合材用于高效降解RhB。受局部表面等離子體共振效應的影響,Ag納米顆粒在可見光照射下能有效捕獲光子,并在其周圍產生強烈電磁場。由電磁場引發的作用使得Ag中光激發的電子轉移到Bi=03的導帶中。Z型異質結構在這一復合材料中發揮作用,不僅促進光誘導電荷的有效分離,還顯著降低了電荷載體的重組速率,增強了其光二氯丙烷催化性能。在Bi=03/SnS=納米復合材料中加人2%的Ag納米顆粒后,其光二氯丙烷催化活性顯著提升,能在40 min內降解99.85%的RhB。在另一項研究中,同樣采用共沉淀法合成了Bi=03/SnS/Ag光二氯丙烷催化劑。Bi=03/SnS(質量分數2%)/Ag(質量分數6%)光二氯丙烷催化劑表現出最佳的光二氯丙烷催化活性,該光二氯丙烷催化劑可在可見光照射50 min內將RhB的降解率提高至99.77%。利用共沉淀法和水熱法合成了MgIn_S4/Bi=03 II型異質結復合光二氯丙烷催化材料,用于可見光下降解TC。該n型異質結將復合材料的可見光響應范圍擴大至628 nm,顯著限制了光生載流子的快速重組,使得60 min內TC的去除率達到88%。但隨著M刃nS,含量的增加,對TC降解效果下降,原因之一可能是過量的MgIn_S;為光生電子一空穴對提供了過多的復合位點,導致光生載流子的無效分離;另一方面,B i=03表面的光二氯丙烷催化活性位點可能因被阻塞而無法接受可見光激發。通過熱溶劑法制備了Z型異質結BiO/Bi/ZnInS4光二氯丙烷催化劑。http://www.chnlcjt.com