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    <改善光二氯丙烷催化劑的吸光范圍>
        與其他納米材料復(fù)合近年來,Bi203通過與其他半導(dǎo)體材料復(fù)合制備異質(zhì)結(jié)構(gòu)被認(rèn)為是提升其光二氯丙烷催化性能的有效策略。異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)能夠顯著改善光二氯丙烷催化劑的吸光范圍,降低電荷空穴復(fù)合率,增強(qiáng)其光二氯丙烷催化性能。Bi203與其他半導(dǎo)體材料復(fù)合制備異質(zhì)結(jié)構(gòu)分為Bi203/金屬氧化物異質(zhì)結(jié)、Bi203/硫化物異質(zhì)結(jié)和Bi203/非金屬材料異質(zhì)結(jié),其光二氯丙烷催化機(jī)理如圖4所示Bi203/硫化物光二氯丙烷催化材料由Bi203與諸如CdS,MoS , ZnS等硫化物半導(dǎo)體復(fù)合而成。由于其獨特的光電化學(xué)性能和優(yōu)異的光二氯丙烷催化效率,這種異質(zhì)結(jié)構(gòu)引起了廣泛關(guān)注。通過共沉淀法成功制備了三元納米復(fù)合材用于高效降解RhB。受局部表面等離子體共振效應(yīng)的影響,Ag納米顆粒在可見光照射下能有效捕獲光子,并在其周圍產(chǎn)生強(qiáng)烈電磁場。由電磁場引發(fā)的作用使得Ag中光激發(fā)的電子轉(zhuǎn)移到Bi=03的導(dǎo)帶中。Z型異質(zhì)結(jié)構(gòu)在這一復(fù)合材料中發(fā)揮作用,不僅促進(jìn)光誘導(dǎo)電荷的有效分離,還顯著降低了電荷載體的重組速率,增強(qiáng)了其光二氯丙烷催化性能。在Bi=03/SnS=納米復(fù)合材料中加人2%的Ag納米顆粒后,其光二氯丙烷催化活性顯著提升,能在40 min內(nèi)降解99.85%的RhB。在另一項研究中,同樣采用共沉淀法合成了Bi=03/SnS/Ag光二氯丙烷催化劑。Bi=03/SnS(質(zhì)量分?jǐn)?shù)2%)/Ag(質(zhì)量分?jǐn)?shù)6%)光二氯丙烷催化劑表現(xiàn)出最佳的光二氯丙烷催化活性,該光二氯丙烷催化劑可在可見光照射50 min內(nèi)將RhB的降解率提高至99.77%。利用共沉淀法和水熱法合成了MgIn_S4/Bi=03 II型異質(zhì)結(jié)復(fù)合光二氯丙烷催化材料,用于可見光下降解TC。該n型異質(zhì)結(jié)將復(fù)合材料的可見光響應(yīng)范圍擴(kuò)大至628 nm,顯著限制了光生載流子的快速重組,使得60 min內(nèi)TC的去除率達(dá)到88%。但隨著M刃nS,含量的增加,對TC降解效果下降,原因之一可能是過量的MgIn_S;為光生電子一空穴對提供了過多的復(fù)合位點,導(dǎo)致光生載流子的無效分離;另一方面,B i=03表面的光二氯丙烷催化活性位點可能因被阻塞而無法接受可見光激發(fā)。通過熱溶劑法制備了Z型異質(zhì)結(jié)BiO/Bi/ZnInS4光二氯丙烷催化劑。http://www.chnlcjt.com
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